什么是三极管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件， 可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里
[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇 电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管X早出现有关系的，所以15160087068先入为主，也是真正意义上的三极管这个词X初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是X不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！ 电子三极管 Triode （俗称电子管的一种） 双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ） 注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别 J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor） 其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管 VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管
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三极管的发明
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这３位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了X范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地X先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制15160087068造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
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工作原理15160087068
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用X多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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三极管的分类:15160087068
a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示
。 c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
贴片三极管
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管 e.按工作频率分：低频管、高频管、X频管 f.按结构工艺分：合金管、平面管 g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管
插件三极管
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三极管的主要参数
a. 特征频率fT
:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
b. 工作电压/电流
用这个参数可以X该管的电压电流使用范围.
15160087068c. hFE
电流放大倍数.
d. VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
e. PCM
X大允许耗散功率.
f. 封装形式
X该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
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判断基极和三极管的类型
三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：
三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至 二极管档 （蜂鸣档）标志符号如右图：
正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果X出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。 尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。 要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。
在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图： 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若X一次电阻比X二次小,说明原假设成立. 废料回收公司是一家证照齐全,具有回收资质单位公司以环保、科技、规范为中心开展各项环境保护产业活动尤其是为企业提供工业危险废物收集、运输、利用服务,与企业建立“互惠互利”长期稳固的合作关系.本公司一贯奉行：守信.保质.快捷.竭诚的服务宗旨,大力提倡"资源再生,绿色环保"的政策,结合本行业的特点及公司的实际,努力开拓,不断创新,力求满足有色金属市场的发展需要.本单位长期向机关,企业,学校,汽修厂等社会各界上门回收废旧物资以及估价,并可为客户拆搬,风割废旧金属,大型废钢等.公司的服务,统一指导价格,统一装车,统一计量,做到公平买卖,保持清洁卫生(一)电子元件:
电容、电阻、电感、电位器、保险丝、连接器、二三极管、晶振、滤波器、变压器、继电器
(二)IC集成电路:
1、单片机及微处理器：
8位、16位、32位、RISC系列产品、ARM系列产品、51系列及15160087068兼容产品、16C系列(品牌：ATMEL、INFINEON、MOTOROLA、TOSHIBA、RENSA、ISSI、WINBOND、OKI、MICROCHIP、NTK、PHILIPS）
2、存储器：
SRAM系列、DRAM系列、FLASH系列、OTP、EPROM、E2ROM、P2ROM、铁电存储器等
(三)数码产品配件:
Flash、主控芯片、解码芯片、电源管理芯片、电池保护芯片、光接收管、激光头、机芯、液晶屏、一次电池（碳性、碱性、纽扣）、充电池（镍氢、锂离子、锂聚合物）、充电器、SD卡等数码伴侣。
(四)手机配件:
字库、中频、功放、内存、芯片、震动器、按键、排线、天线、主板15160087068、外壳、PCB光板、液晶屏、电池、充电器、耳机、数据线、蓝牙适配器、SD、MMC卡、读卡器、摄像头
电子（Electron）是一种带有负电的亚原子粒子，通常标记为e- 。电子属于轻子类，以重力、电磁力和弱核力与其它粒子相互作用。轻子是构成物质的基本粒子之一，即其无法被分解为更小的粒子。电子带有1/2自旋，是一种费米子。因此，根据泡利不相容原理，任何两个电子都不能处于同样的状态。电子的反粒子是正电子，其质量、自旋、带电量大小都与电子相同，但是电量正负性与电子相反。电子与正电子会因碰撞而互相湮灭，在这过程中，创生一对以上的光子。 由电子与中子、质子所组成的原子，是物质的基本单位。相对于中子和质子所组成的原子核，电子的质量显得极小。质子的质量大约是电子质量的1842倍。当原子的电子数与质子数不等时，原子会带电；称这原子为离子。当原子得到额外的电子时，它带有负电，叫阴离子，失去电子时，它带有正电，叫阳离子。若物体带有的电子多于或少于原子核的电量，导致正负电量不平衡时，称该物体带静电。当正负电量平衡时，称物体的电性为电中性。静电在日常生活中有很多用途，例如，静电油漆系统能够将瓷漆（英语：enamel paint）或聚氨酯漆，均匀地喷洒于物品表面。 电子与质子之间的吸引性库仑力，使得电子被束缚于原子，称此电子为束缚电子。两个以上的原子，会交换或分享它们的束缚电子，这是化学键的主要成因。当电子脱离原子核的束缚，能够自由移动时，则改称此电子为自由电子。许多自由电子一起移动所产生的净流动现象称为电流。在许多物理现象里，像电传导、磁性或热传导，电子都扮演了机要的角色。移动的电子会产生磁场，也会被外磁场偏转。呈加速度运动的电子会发射电磁辐射。 根据大爆炸理论，宇宙现在所存在的电子，大部份都是创生于大爆炸事件。但是，有一小部份是因为放射性物质的β衰变或高能量碰撞而创生的。例如，当宇宙线进入大气层时遇到的碰撞。在另一方面，许多电子会因为与正电子相碰撞而互相湮灭，或者，会在恒星内部制造新原子核的恒星核合成过程中被吸收。 在实验室里，精密的尖端仪器，像四极离子阱（英语：quadrupole ion trap），可以长时间约束电子，以供观察和测量。大型托卡马克设施，像国际热核聚变实验反应堆，借着约束电子和离子等离子体，来实现受控核聚变。无线电望远镜可以用来探测外太空的电子等离子体。 电子的应用X域很多，像电子束焊接、阴极射线管、电子显微镜、放射线治疗、激光和粒子加速器等等。
分类
电子属于亚原子粒子中的轻子类。 轻子被认为是构成物质的基本粒子之一，即其无法被分解为更小的粒子。它带有1/2自旋，即又是一种费米子（按照费米—狄拉克统计）。电子所带电荷为e=1.6 × 10的-19次方库仑，质量为9.10 × 10-31 kg (0.51 MeV/c2)。通常被表示为e-。 电子的反粒子是正电子，它带有与电子相同的质量，自旋和等量的正电荷。 物质的基本构成单位——原子 是由电子、中子和质子三者共同组成。中子不带电，质子带正电，原子对外不显电性。相对于中子和质子组成的原子核，电子的质量极小。质子的质量大约是电子的1840倍。 当电子脱离原子核束缚在其它原子中自由移动时，其产生的净流动现象称为电流。 各种原子束缚电子能力不一样，于是就由于失去电子而变成正离子，得到电子而变成负离子。 静电是指当物体带有的电子多于或少于原子核的电量，导致正负电量不平衡的情况。当电子过剩 时，称为物体带负电；而电子不足时，称为物体带正电。当正负电量平衡时，则称物体是电中性的。 静电在我们日常生活中有很多应用方法，其中例子有喷墨打印机。 电子是在1897年由剑桥大学的卡文迪许实验室的约瑟夫·汤姆生（一般简称汤姆生）在研究阴极射线时发现的。 一种对在原子核附近以不同概率分布的密云的基本假设。作用范围现阶段只能在核外考虑（所有假设粒子现在都只能在核外摸索摸索）它被归于叫做轻子的低质量物质粒子族，被设成具有负值的单位电荷。
基本性质15160087068
电子块头小重量轻（比 μ介子还轻205倍)，被归在亚原子粒子中的轻子类。轻子是物质被划分的作为基本粒子的一类。电子带有1/2自旋，满足费米子的条件（按照费米—狄拉克统计）。电子所带电荷约为- 1.6 × 10-19库仑，质量为9.10 × 10-31 kg (0.51 MeV/c2)。通常被表示为e-。与电子电性相反的粒子被称为正电子，它带有与电子相同的质量，自旋和等量的正电荷。 电子在原子内做绕核运动，能量越大距核运动的轨迹越远.有电子运动的空间叫电子层.X一层X多可有2个电子.X二层X多可以有8个，Xn层X多可容纳2n^2个电子，X外层X多容纳8个电子.X后一层的电子数量决定物质的化学性质是否活泼，1．2电子为金属元素，3．4．5．6．7为非金属元素，8为稀有气体元素. 物质的电子可以失去也可以得到，物质具有得电子的性质叫做氧化性，该物质为氧化剂；物质具有失电子的性质叫做还原性，该物质为还原剂。物质氧化性或还原性的强弱由得失电子难易决定，与得失电子多少无关。
编辑本段运动的电子
我们现在知道，电荷的X终携带着是组成原子的微小电子。在运动的原子中，每个绕原子核运动的电子都带有一个单位的负电荷，而原子核里面的质子带有一个单位的正电荷。正常情况下，在物质中电子和质子的数目是相等的，它们携带的电荷相平衡，物质呈中型。物质在经过摩擦后，要么会失去电子，留下更多的正电荷（质子比电子多）。要么增加电子，获得更多的负电荷（电子比质子多）。这个过程称为摩擦生电。
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自由电子（从原子冲逃逸出来的电子）能够在导体的原子之间轻易移动，但它们在绝缘体中不行。于是，物体在摩擦时传递到导体上的电荷会被迅速中和，因为多余的电子会从物质 表面流走，或者额外的电子会被吸附到物体表面上代替流失的电子。所以，无论摩擦多么剧烈，金属都不可能摩擦生电。但是，橡胶或塑料这样的绝缘体，在摩擦之后，其表面就会留下电荷。
电子的运动与宏观物体运动区别：
(1)质量很小(9.109×10-31kg)； (2)电子带负电荷； (3)运动空间范围小(直径约10-10m) ; (4)运动速度快(10-6m)。电子的运动特征就与宏观物体的运动有着极大的不同----它没有确定的轨道。因此科学家主要采用建立模型的方法对电子的运动情况进行研究。
核外电子排布的规律:
1.电子是在原子核外距核由近及远、能量由低至高的15160087068不同电子层上分层排布； 2.每层X多容纳的电子数为n的平方的二倍个(n代表电子层数)； 3.X外层电子数不X过8个(X一层不X过2个)，次外层不X过18个。 4．电子一般总是尽先排在能量X低的电子层里，即先排X一层，当X一层排满后，再排X二层，X二层排满后，再排X三层。 电子云是电子在原子核外空间概率密度分布的形象描述，电子在原子核外空间的某区域内出现，好像带负电荷的云笼罩在原子核的周围，人们形象地称它为“电子云”。它是 1926年奥地利学者薛定谔在德布罗伊关系式的基础上，对电子的运动做了适当的数学处理，提出了二阶偏微分的的X的薛定谔方程式。这个方程式的解，如果用三维坐标以图形表示的话，就是电子云。15160087068
