南宁市华贝特电子科技有限公司
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南宁交流不间断电源
南宁市华贝特电子科技有限公司是一家提供广西UPS不间断电源、广西EPS应急电源、广西UPS免维护蓄电池及电源产品及X技术服务的高新技术企业。
华贝特公司在南宁经营数年，为广大客户提供了稳定的交流不间断电源及其附属产品。并为广大客户提供了很多的技术解决方案和售后服务。交流不间断电源的核心部分还是逆变器，而X几乎绝大多数的不间断电源厂商都会采用IGBT作为逆变器。今天我们再看下六代IGBT设计和制造技术的发展概况：
了解一下半导体
虽然IGBT的应用者需要了解的只是IGBT规格、型号、性能、参数和应用须知就够了，但不妨了解一下半导体器件X基本的知识对阅读本文是有帮助的。
IGBT是一种功率半导体器件。器件的制作就是在薄薄的一层均匀的半导体硅晶片中按设计方案用特定的工艺手段做成不同功能的若干小区域(可能大家已有了解的所谓PN结、高阻层、高浓度杂质低阻区、绝缘层、原胞、发射极、集电极、栅极等)，而且按要求连接成回路。各个小的功能区的厚薄、大小、位置、杂质性质、杂质浓度甚至杂质浓度分布如浓度梯度都会给器件性能带来极大的影响。所有半导体器件(含微电子、集成电路等)设计和制作就是在硅晶片中做这样的结构文章。如何去制作不同结构的小区域(即晶片内结构)，则需用各种半导体制作工艺(如扩散工艺、外延工艺、离子注入工艺、辐照工艺、光刻工艺、沟槽工艺等)及相关的X设备和工艺条件(如不同X别的原料、辅料及洁净厂房等)。举例说来，同是功率半导体器件的可控硅和IGBT芯片结构就大不一样。可控硅电流再大、电压再高，只有一个单X的芯片。IGBT则是利用MOS集成电路工艺，在一个大硅晶片上制成若干个可分割的芯片，每个芯片中又有不少的同样结构的原胞并联组成(见下图)，然后在封装时根据需要把芯片组成回路或把芯片并联制成大电流的单管、桥臂等模块。此例只是两者芯片内结构差异中的一个小例而已，其它差异多得是，不胜枚举。
IGBT的发展过程
