特性
-8 层硬件堆栈x11bit
-2T 或4T 指令周期
-2Kx14b 程序存储空间(16bytes/page)
-256x8b 数据EEPROM(16bytes/page)
-数据EEPROM 在应用编程
-128x8b SRAM
-1 x 带8 位预分频的定时器0
-1 x 带8 位预分频的定时器2
-带7 位预分频的WDT,溢出频率约为16ms~2048ms
-上电延迟计数器PWRT
-低功耗模式SLEEP
-多个唤醒源,INT、端口变化中断、WDT、数据EEPROM 写完成,等等
-内置高速16M RC 振荡器
-内置低速32K RC 振荡器
-支持外部晶振16M 或32K,以及外部时钟模式
-时钟缺失检测
-双速启动模式(晶体或外部时钟模式下)
-内置2 个高速高精度比较器
-可编程的片上参考电压
-比较结果可直接输出
-X多16 个通用IO,18 根芯片管脚
-7 个IO 带X立上拉控制
-端口变化中断,RA0~RA7
-支持在系统编程ICSP
-支持在线调试
-程序空间保护
-工作电压范围:1.8V~ 5.5V
-X大时钟工作频率:16MHz