伯东企业（上海）有限公司
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上海伯东代理美国原装进口 KRI霍尔离子源eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI霍尔离子源eH1000特性:
•可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, X大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
•宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
•多用途 - 适用于 Load lock / X高真空系统; 安装方便; 无需水冷
•高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源eH 1000 技术参数:
型号 | eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
供电 | DC magnetic confinement |
- 电压 | 40-300V VDC |
- 离子源直径 | ~ 5 cm |
- 阳极结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
- 阳极 | 标准或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移动或快接法兰 |
- 高度 | 4.0 |
- 直径 | 5.7 |
- 加工材料 | 金属 |
电介质 | |
半导体 | |
- 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 | 10-36” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder |
|
KRI霍尔离子源eH1000应用X域:
•离子辅助镀膜 IAD
•预清洗 Load lock divclean
•预清洗 In-situ divclean
•Direct Depo sition
•Surface Modification
•Low-energy etching
•III-V Semiconductors
•Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项X. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD X域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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