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上海伯东代理美国原装进口 KRI射频离子源RFICP 40 : 目前 KRI射频离子源RFICP 系列尺寸X小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内.离子源RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用.离子源RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以X过 120 mA.
射频离子源RFICP 40 特性:
KRI射频离子源RFICP 40 技术参数:
型号 | RFICP 40 |
Discharge 阳极 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm |
直径 | 13.5 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI射频离子源RFICP 40 应用X域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项X. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD X域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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