山东宝川自动化设备有限公司
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IGBT是变频器的核心器件，作用是将直流变为交流供电机使用， 与其它电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，鉴于此，开发高电压、大电流、频率高的高压IGBT并将其应用到变频调速器中以获得输出电压等X更高的装置成为人们关注的焦点。中压变频器的研发与电力电子器件如高压IGBT、GTO、IGCT等器件研制水平和应用水平密切相关，随着高电压、大电流IGBT的面世，给中压变频器注入了新的活力。 随着关断能力和载流能力的提高，高压IGBT以其自保护功能强，无需吸收电路而具有广阔的应用前景。西门子公司从1988年开始研制和应用低压IGBT，在高压IGBT的开发上也处于*地位，以目前用于MV系列的1200A/3300VIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低，关断损耗小，di/dt、dv/dt都得到了X控制，目前高压IGBT的研制水平为(600～1200)A/6500V，其工作频率为（18～20）kHz。 目前1500kVA以下电压源型变频器基本上采用二电平电路结构，将中间直流电路的正极电位或负极电位接到电机上去。为满足变频器容量和输出电压等X的需求，并降低谐波及dv/dt，出现了采用GTO或高压IGBT的三电平变频器，将中间直流电路正极电位、负极电位及中点电位送到电机上去。与二电平变频器相比，其输出波形谐波较小，降低了损耗，同时使功率器件耐压降低一半。西门子公司采用高压IGBT、三电平技术开发成功MV系列中压变频器，其逆变器电路在3300V、4160V等X仅需12或24个器件，无须缓冲电路，结构紧凑，提高了可靠性和整体效率。
